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典型 (在500 mm的50 %時) ≤ 30 ppm/Kw38廣州南創電子科技有限公司
重復精度 ±5 µm w38廣州南創電子科技有限公司
工作電壓 20.0...28.0 V w38廣州南創電子科技有限公司
用于動態規則應用 No w38廣州南創電子科技有限公司
短路保護 對地，對36 V DC w38廣州南創電子科技有限公司
反極性保護 36 V w38廣州南創電子科技有限公司
保護管材料 不銹鋼1.4571 w38廣州南創電子科技有限公司
防護等級符合IEC 60529 IP67 (帶插接器) w38廣州南創電子科技有限公司
位置傳感器數，出廠設置 1 STw38廣州南創電子科技有限公司
電氣特征關閉編程輸入端 20 … 28 V DC, High-active 接口 插接器, M16 w38廣州南創電子科技有限公司
倉儲溫度，低 100 °C w38廣州南創電子科技有限公司
電纜/插頭出線 軸向w38廣州南創電子科技有限公司
固定方式 螺紋法蘭M18x1.5 w38廣州南創電子科技有限公司
環境溫度Ta， 85 °C w38廣州南創電子科技有限公司
環境溫度Ta，小 -40 °C w38廣州南創電子科技有限公司
結構 型號系列，桿式結構w38廣州南創電子科技有限公司
空氣濕度 < 90 %，不凝結w38廣州南創電子科技有限公司
耐壓性 ≤ 600 barw38廣州南創電子科技有限公司
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德國巴魯夫balluff磁致伸縮位移傳感器BTL6-A301-M0250-A1-S115無線傳感網需要大量的新型直線位移傳感器，不僅要求具有傳統直線位移傳感器的基本功能外，還必須具有低功耗和無線高傳輸等特點。而MOEMS可使傳感技術有著更快的轉換和傳輸速率，使得光網可快速加入以光傳輸為主導的物聯網，光網會在未來10年內普遍地加入到物聯網中。巴魯夫balluff電子尺BTL6-A301-M0250-A1-S115范茂軍強調，在加入的過程中還需要克服幾個主要問題：一是光信息的處理技術，balluffBTL6-A301-M0100-A1-S115位移傳感器二是光信息的快速轉換技術，三是微型光信息的快速和反復擦除技術及芯片技術。目前國內外在MOEMS研發方面取得了一些新的進展，表現在光通信中的各種開關實現了光信號的通路轉換以及在多種直線位移傳感器中實現了光作為檢測和轉換的多種應用。微納米技術是未來微直線位移傳感器的核心技術之一，而微直線位移傳感器是物聯網中應用最多的一種BTL6-A301-M0300-A1-S115電子尺直線位移傳感器。如果微納米等新技術快速融合到直線位移傳感器技術之中，這不僅將為直線位移傳感器產品發展帶來新材料、新工藝、新技術，還可給直線位移傳感器在設計方面帶來新的突破。這也將成為物聯網發展的新動力。目前，巴魯夫BTL6-A301-M0250-A1-S115磁致伸縮位移傳感器全球的直線位移傳感器市場在不斷變化的創新之中呈現出快速增長的趨勢，新技術的發展將重新定義未來的直線位移傳感器市場。我國直線位移傳感器廠商在傳統直線位移傳感器市場已“城門失守”，在MEMS、MOEMS等新技術領域，BTL6-A301-M0300-A1-S115電子尺還需加強修煉，以在新一輪的競爭中能夠成功上位。w38廣州南創電子科技有限公司
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